[资讯] 巨亏 12.69 万亿韩元，三星“翻滚”下坡

据 KBS 报道，三星电子今年第三季度半导体部门亏损达 3.75 万亿韩元，加上前两个季度累计 8.94 万亿韩元的亏损。还不到一年时间，三星就在半导体项目中亏损了 12.69 万亿韩元（约合人民币 688 亿元）。

在 2017 年成为世界第一半导体公司的三星，巅峰时占据全球 45% 以上内存市场，仅仅五年后，这个半导体王国就开始分崩瓦解。

1、风云突变的半导体市场
三星半导体业务主要收益来源，就是存储芯片，也就是存储业务。

很多人不知道，三星在做手机之前，它的核心业务就是生产存储芯片。早在 30 年前，三星研发出全球首款 64Mb DRAM（内存条），这一产品使得三星电子在 1992 年就成为了全球最大的 DRAM 厂商，并在次年成为了最大的存储芯片制造商。

在 1999 年，三星开发出首款 1GB NAND 闪存，再到 2002 年，三星成为了全世界首个量产 1GB NAND 闪存的公司，自此三星超越东芝，正式坐上闪存市场头把交椅。

DRAM 和 NAND 业务，就成了三星半导体的核心支柱。哪怕三星手机逐渐在中国市场消声灭迹后，三星依然能凭借存储业务的收益稳坐全球头部互联网公司。

但随着疫情时代来临，全球市场的芯片买家纷纷暂缓下单，加快消耗已有库存，本季度芯片价格下降了约 13% 至 18%。

由于在供需两端的调整下，存储芯片不但价格暴跌，甚至一度卖不出去，造成极为严重库存积压。据数据显示，截至 2023 年 6 月底，三星半导体库存已超过 1800 亿人民币。

为了减少库存，三星被迫开始削减供应，试图让存储市场恢复到平衡状态。在今年 7 月，三星公开宣布将 DRAM 存储器月产量削减至 62 万片晶圆，同比减少 12%，创下公司 2021 年第三季度以来产量的新低。

除了旧芯片卖不出以外，存储芯片市场也在发生天翻地覆的改变。

因为 AI 时代的来临，生成式大模型爆火，为了配合算力要求极高的 AI 服务器，DRAM 和 NAND 存储芯片都陆续被淘汰，而新的存储芯片 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）成了主流。

据公开资料显示，HBM 芯片是将多个 DDR 芯片堆叠后和 GPU 封装在一起，实现大容量、高位宽的 DDR 组合阵列，能让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。

HBM 芯片目前已经成为 AI 大模型�